FQD10N20LTM ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 1.77 EUR |
| 102+ | 1.71 EUR |
| 131+ | 1.3 EUR |
| 250+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details FQD10N20LTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQD10N20LTM nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FQD10N20LTM | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD10N20LTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 51 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD10N20LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 102+ | 1.61 EUR |
| 131+ | 1.2 EUR |
| 250+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| FQD10N20LTM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 3.27 EUR |
| 92+ | 2.53 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |