Weitere Produktangebote FQD12N20L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FQD12N20L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 200V 280MOHM L DAPK |
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FQD12N20L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 2.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 2.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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| FQD12N20L |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs QF 200V 280MOHM L DAPK
MOSFETs QF 200V 280MOHM L DAPK
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| FQD12N20L |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 2.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 2.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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