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FQD20N06

FQD20N06 UMW

14bf6c888fa6b8d8ff9aea86fa7a1cb5.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details FQD20N06 UMW

Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD20N06 FAIRCHILD 14bf6c888fa6b8d8ff9aea86fa7a1cb5.pdf TO-252
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