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FQD2P40TM

FQD2P40TM ON Semiconductor

fqd2p40d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.7 EUR
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Technische Details FQD2P40TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm.

Weitere Produktangebote FQD2P40TM nach Preis ab 0.56 EUR bis 3.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+0.74 EUR
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FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi fqd2p40-d.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD2P40TM FQD2P40TM ON Semiconductor fqd2p40d.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
126+1.32 EUR
166+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi fqd2p40-d.pdf MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
auf Bestellung 13559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi fqd2p40-d.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI 2572546.pdf Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
123+1.89 EUR
185+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI 2572546.pdf Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
auf Bestellung 2203 Stücke:
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72+3.47 EUR
113+2.06 EUR
171+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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FQD2P40TM ONN fqd2p40-d.pdf
auf Bestellung 2382 Stücke:
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FQD2P40TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.7 EUR
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auf Bestellung 2593 Stücke:
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FQD2P40TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD2P40TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.67 EUR
126+1.32 EUR
166+0.96 EUR
500+0.75 EUR
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MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
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10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
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FQD2P40TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.03 EUR
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50+1.44 EUR
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500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD2P40TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
auf Bestellung 2220 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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123+1.89 EUR
185+1.17 EUR
500+0.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD2P40TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
113+2.06 EUR
171+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH