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FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085 ON Semiconductor

fqd8p10tm_f085-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details FQD8P10TM-F085 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 44W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+0.89 EUR
7500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ON Semiconductor fqd8p10tm_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi / Fairchild FQD8P10TM_F085-D.PDF MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 32030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.7 EUR
100+1.31 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.95 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
130+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI fqd8p10tm_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
144+1.62 EUR
167+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 onsemi fqd8p10tm_f085-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 25361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.31 EUR
100+1.37 EUR
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FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
auf Bestellung 1308 Stücke:
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FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Fairchild Semiconductor FQD8P10TM_F085.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FQD8P10TM-F085 ONN fqd8p10tm_f085-d.pdf
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.96 EUR
5000+0.89 EUR
7500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 32030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.14 EUR
10+1.7 EUR
100+1.31 EUR
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2564 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
130+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
144+1.62 EUR
167+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD8P10TM-F085
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 25361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.72 EUR
10+2.31 EUR
100+1.37 EUR
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FQD8P10TM_F085
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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