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FQP11N40C

FQPF11N40C-D.PDF
Produktcode: 203650
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQP11N40C FQP11N40C ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.02 EUR
100+1.87 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP11N40C FQP11N40C onsemi FQPF11N40C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.55 EUR
50+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C onsemi FQPF11N40C-D.PDF MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.02 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.14 EUR
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FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
64+3.64 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP11N40C fqpf11n40c-d.pdf
FQP11N40C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP11N40C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
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FQP11N40C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
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FQP11N40C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
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