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FQP11N40C

FQPF11N40C-D.PDF
Produktcode: 203650
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQP11N40C FQP11N40C Fairchild info-tfqp11n40c.pdf N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C Fairchild info-tfqp11n40c.pdf N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.03 EUR
88+1.99 EUR
100+1.84 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C FQP11N40C ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.05 EUR
88+1.95 EUR
100+1.78 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.7 EUR
35+2.46 EUR
40+2.13 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C onsemi FQPF11N40C-D.PDF MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.67 EUR
100+2.34 EUR
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FQP11N40C FQP11N40C onsemi FQPF11N40C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+2.7 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP11N40C info-tfqp11n40c.pdf
FQP11N40C
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FQP11N40C info-tfqp11n40c.pdf
FQP11N40C
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FQP11N40C fqpf11n40c-d.pdf
FQP11N40C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.03 EUR
88+1.99 EUR
100+1.84 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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FQP11N40C fqpf11n40c-d.pdf
FQP11N40C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.05 EUR
88+1.95 EUR
100+1.78 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+2.7 EUR
35+2.46 EUR
40+2.13 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FQP11N40C FQPF11N40C-D.PDF
FQP11N40C
Hersteller: onsemi
MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.44 EUR
10+2.67 EUR
100+2.34 EUR
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FQP11N40C FQPF11N40C-D.PDF
FQP11N40C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.43 EUR
50+2.7 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP11N40C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF740PBF
Produktcode: 162988
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91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
auf Bestellung 695 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22uF 25V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR220M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 50509
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EMR_080514.pdf
22uF 25V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR220M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EMR
Typ: Subminiatur, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x7 mm
Lebensdauer: 1000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 8764 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.036 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.017 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 160V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR470M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31674
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EXR_080421.pdf
47uF 160V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR470M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 160 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -25...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 88 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 St.:
400 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
10+0.29 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 16V EMRL 6,3x7mm (Super miniature size) (EMRL470M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 1490
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EMRL_080714.pdf
47uF 16V EMRL 6,3x7mm (Super miniature size) (EMRL470M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EMRL
Typ: Subminiatur, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x7 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 9818 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.095 EUR
10+0.071 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH