FQP12P20
Produktcode: 46795
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQP12P20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP12P20 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP12P20 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP12P20 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
Produkt ist nicht verfügbar |