FQP13N10 ON Semiconductor
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Technische Details FQP13N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FQP13N10 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQP13N10 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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