FQP17P06
Produktcode: 126278
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FQP17P06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP17P06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP17P06 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
auf Bestellung 14922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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