Technische Details FQP19N20 Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQP19N20 nach Preis ab 2.52 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FQP19N20 Produktcode: 35440
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Lieblingsprodukt
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Fairchild |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 19,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1220/31 Montage: THT |
auf Bestellung: 3 St.
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FQP19N20 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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FQP19N20 | onsemi |
MOSFETs 200V N-Channel QFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| FQP19N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| FQP19N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| FQP19N20 Produktcode: 35440
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 19,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1220/31
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 19,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1220/31
Montage: THT
auf Bestellung: 3 St.
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 2.52 EUR |
| FQP19N20 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| FQP19N20 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V N-Channel QFET
MOSFETs 200V N-Channel QFET
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Stück im Wert von UAH
| FQP19N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| FQP19N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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