FQP30N06L ON-Semiconductor
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP30N06L TFQP30n06l
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Technische Details FQP30N06L ON-Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote FQP30N06L nach Preis ab 2.89 EUR bis 5.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FQP30N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP30N06L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FQP30N06L |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.3 EUR |
| 60+ | 3.9 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| FQP30N06L |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)