Produkte > Verschiedene Bauteile > Other components 3 > FQP45N15V2

FQP45N15V2

fqpf45n15v2-d.pdf
Produktcode: 147581
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FQP45N15V2 nach Preis ab 1.62 EUR bis 4.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.3 EUR
34+2.16 EUR
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 FQP45N15V2 onsemi / Fairchild FQPF45N15V2-D.pdf MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
auf Bestellung 14735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+1.97 EUR
100+1.8 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 FQP45N15V2 onsemi fqpf45n15v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
50+1.91 EUR
100+1.83 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 FQP45N15V2 onsemi fqpf45n15v2-d.pdf MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
auf Bestellung 13330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+2.48 EUR
100+2.24 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 FQP45N15V2.pdf
FQP45N15V2
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
34+2.16 EUR
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 FQPF45N15V2-D.pdf
FQP45N15V2
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
auf Bestellung 14735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.47 EUR
10+1.97 EUR
100+1.8 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQP45N15V2
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.54 EUR
50+1.91 EUR
100+1.83 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQP45N15V2
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI
auf Bestellung 13330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.95 EUR
10+2.48 EUR
100+2.24 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQP45N15V2
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH