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FQP47P06

FQP47P06 ON Semiconductor

fqp47p06-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FQP47P06 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FQP47P06 FQP47P06 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
16+4.70 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
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250+2.43 EUR
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FQP47P06 FQP47P06 Hersteller : ON Semiconductor fqp47p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP47P06 FQP47P06 Hersteller : onsemi / Fairchild fqp47p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
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FQP47P06 FQP47P06 Hersteller : onsemi fqp47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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FQP47P06 FQP47P06 Hersteller : ON Semiconductor fqp47p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP47P06 FQP47P06 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FQP47P06 Hersteller : ON-Semicoductor fqp47p06-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FQP47P06
Produktcode: 166999
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