FQP47P06
Produktcode: 166999
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Weitere Produktangebote FQP47P06 nach Preis ab 2.21 EUR bis 8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FQP47P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP47P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQP47P06 | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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