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FQP4N20L

FQP4N20L Fairchild Semiconductor

FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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Technische Details FQP4N20L Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.

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FQP4N20L FQP4N20L Hersteller : onsemi / Fairchild FQP4N20L_D-1809811.pdf MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
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FQP4N20L FQP4N20L Hersteller : onsemi FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
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FQP4N20L FQP4N20L Hersteller : ON Semiconductor fqp4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP4N20L FQP4N20L Hersteller : ON Semiconductor fqp4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP4N20L Hersteller : ONSEMI FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP4N20L THT N channel transistors
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