FQP50N06 ON Semiconductor
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 1.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FQP50N06 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V.
Möglichen Substitutionen FQP50N06 ON Semiconductor
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
FQP50N06C Produktcode: 205802
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : JSMSemi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A JHGF: THT |
auf Bestellung 53 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote FQP50N06 nach Preis ab 0.98 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP50N06 Produktcode: 31258
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 60 Idd,A: 50 Rds(on), Ohm: 0.022 Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||
|
FQP50N06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| FQP50N06 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
||||||
| FQP50N06 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
||||||
|
FQP50N06 Produktcode: 193976
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||
|
|
FQP50N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
FQP50N06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
|
FQP50N06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A |
Produkt ist nicht verfügbar |



