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FQP50N06

FQP50N06 Fairchild

fqp50n06-d.pdf
Produktcode: 31258
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP50N06C FQP50N06C
Produktcode: 205802
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Hersteller : JSMSemi Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ON Semiconductor fqp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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FQP50N06 Hersteller : JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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FQP50N06 Hersteller : ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FQP50N06 Hersteller : ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 20
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FQP50N06 FQP50N06
Produktcode: 193976
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Hersteller : JSMicro fqp50n06-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ON Semiconductor fqp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : onsemi fqp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : onsemi / Fairchild FQP50N06_D-1810007.pdf MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 567 Stück
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528 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
auf Bestellung 1668 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BAW56
Produktcode: 2041
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BAW56.pdf
BAW56
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 75
Iausricht.,А: 0.215
Beschreibung: doppelt, gemeinsame Anode, Schneller
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
auf Bestellung 3637 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.02 EUR
10+0.02 EUR
100+0.02 EUR
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BC856B
Produktcode: 2029
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BC856,857.pdf
BC856B
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 80
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 4611 Stück:
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10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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BZV55-C9V1
Produktcode: 1362
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BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 16764 Stück:
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