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FQP50N06

FQP50N06 JSMicro

fqp50n06-d.pdf
Produktcode: 193976
Hersteller: JSMicro
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen FQP50N06 JSMicro

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQP50N06C FQP50N06C
Produktcode: 205802
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Hersteller : JSMSemi Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT
auf Bestellung 63 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ON Semiconductor fqp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+1.13 EUR
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP50N06 Hersteller : ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FQP50N06 FQP50N06
Produktcode: 31258
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Hersteller : Fairchild fqp50n06-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ON Semiconductor fqp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : onsemi fqp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
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FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : onsemi / Fairchild FQP50N06-D.pdf MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A
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MBR20100CTG
Produktcode: 26154
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 371 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Anzahl Preis
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10+0.42 EUR
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1288 Stück
25 Stück - stock Köln
1263 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 80 Stück
Anzahl Preis
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RFP50N06LE
Produktcode: 189268
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JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC557B
Produktcode: 1826
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BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 865 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
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DB-9F (CD5109S2100, DSC-109, KLS1-213-09-F-B)(DB-09F)
Produktcode: 16722
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DB-9F (CD5109S2100, DSC-109, KLS1-213-09-F-B)(DB-09F)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB Buchse auf Kabel (komp.-Interface) 2-х Reihen, 9 Kontakte
Stecker oder Steckdose: Steckdose
Anzahl, Kontakte: 9
Серія: DB
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
verfügbar: 1185 Stück
393 Stück - stock Köln
792 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 15000 Stück
15000 Stück - erwartet 15.02.2026
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.18 EUR
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