Weitere Produktangebote FQP50N06L nach Preis ab 5.98 EUR bis 5.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQP50N06L | Hersteller : ON-Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06lAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP50N06L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 121W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP50N06L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP50N06L | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level |
Produkt ist nicht verfügbar |