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FQP8N60C

FQP8N60C ON Semiconductor

fqp8n60c.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FQP8N60C ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP8N60C FQP8N60C Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
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FQP8N60C FQP8N60C Hersteller : onsemi / Fairchild FQP8N60C-D.pdf MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP8N60C Hersteller : FAIRCHILD FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf 06+
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FQP8N60C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP8N60C - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FQP8N60C FQP8N60C Hersteller : ON Semiconductor fqp8n60c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP8N60C FQP8N60C Hersteller : onsemi fqp8n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
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