FQP9P25
Produktcode: 77221
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQP9P25 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQP9P25 | Hersteller : ONN |
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auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP9P25 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9P25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V P-Channel QFET |
Produkt ist nicht verfügbar |