FQPF10N20C ON Semiconductor
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Technische Details FQPF10N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 9.5, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQPF10N20C nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FQPF10N20C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF10N20C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch MOSFET |
auf Bestellung 2736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF10N20C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF10N20C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 9.5 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF10N20C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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