FQPF12N60C ON Semiconductor
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Technische Details FQPF12N60C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQPF12N60C Produktcode: 92801
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 Transistoren > MOSFET N-CH |
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| FQPF12N60C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF12N60C - MOSFET, N, TO-220F tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FQPF12N60C Produktcode: 92799
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQPF12N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF12N60C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V |
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FQPF12N60C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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