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FQPF16N25C FAIRCHILD

Hersteller: FAIRCHILD

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Technische Details FQPF16N25C FAIRCHILD

Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 15.6, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 43, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 43, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Weitere Produktangebote FQPF16N25C

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
FQPF16N25C	onsemi	Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF16N25C	onsemi / Fairchild	MOSFET N-CH/250V /16A/QFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF16N25C	ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 62.4A Power dissipation: 43W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 53.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF16N25C	ONSEMI	Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 15.6 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 43 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 43 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (17-Jan-2022)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF16N25C	ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N25C

Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

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FQPF16N25C

Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/250V /16A/QFET

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FQPF16N25C

Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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FQPF16N25C

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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FQPF16N25C

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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