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FQPF19N20C

FQPF19N20C ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF19N20C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF19N20C FQPF19N20C ON Semiconductor fqpf19n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FQPF19N20C FQPF19N20C onsemi / Fairchild FQPF19N20C-D.pdf MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
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FQPF19N20C FQPF19N20C onsemi fqpf19n20c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
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On-state resistance: 0.17Ω
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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