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FQPF27P06

FQPF27P06 ON Semiconductor

fqpf27p06-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF27P06 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.055 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 47W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : ON Semiconductor fqpf27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : onsemi / Fairchild fqpf27p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : onsemi fqpf27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : ONSEMI 2304905.pdf Description: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.055 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : ON Semiconductor fqpf27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199EA61DADD6259&compId=FQPF27P06.pdf?ci_sign=ec17df6d8f5dd9ac50894e30ab8ac16dd855550e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQPF27P06 FQPF27P06 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199EA61DADD6259&compId=FQPF27P06.pdf?ci_sign=ec17df6d8f5dd9ac50894e30ab8ac16dd855550e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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