Weitere Produktangebote FQPF2N60C nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FQPF2N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 4172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 5240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF2N60C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF2N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 23W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQPF2N60C | Hersteller : ONS/FAI |
1.35A, 600V, N-Channel MOSFET,TO-220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF2N60C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF2N60C | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET |
Produkt ist nicht verfügbar |