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FQPF2N60C

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Produktcode: 180861
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF2N60C FQPF2N60C ON Semiconductor fqpf2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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FQPF2N60C FQPF2N60C ON Semiconductor fqpf2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4172 Stücke:
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FQPF2N60C FQPF2N60C ON Semiconductor fqpf2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 858 Stücke:
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FQPF2N60C FQPF2N60C Fairchild Semiconductor fqpf2n60c-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
auf Bestellung 6360 Stücke:
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FQPF2N60C FQPF2N60C ON-Semiconductor info-tfqp2n60c.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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FQPF2N60C FQPF2N60C Fairchild info-tfqp2n60c.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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FQPF2N60C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF2N60C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4172 Stücke:
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FQPF2N60C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF2N60C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF2N60C
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FQPF2N60C
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
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358+1.5 EUR
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FQPF2N60C info-tfqp2n60c.pdf
FQPF2N60C
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FQPF2N60C
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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