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FQPF3N80C

FQPF3N80C ON Semiconductor

fqpf3n80c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF3N80C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220F-3
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FQPF3N80C FQPF3N80C Hersteller : ONSEMI 1847582.pdf Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQPF3N80C Hersteller : ONSEMI fqpf3n80c-d.pdf FQPF3N80C THT N channel transistors
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FQPF3N80C
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