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FQPF3N80C

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Produktcode: 188274
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF3N80C FQPF3N80C ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.69 EUR
106+1.65 EUR
110+1.55 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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FQPF3N80C FQPF3N80C ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.7 EUR
105+1.62 EUR
109+1.5 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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FQPF3N80C FQPF3N80C ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.28 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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FQPF3N80C FQPF3N80C onsemi fqpf3n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
50+2.33 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FQPF3N80C FQPF3N80C onsemi fqpf3n80c-d.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
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FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI 1847582.pdf Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQPF3N80C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2568 Stücke:
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105+1.69 EUR
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FQPF3N80C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2574 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
104+1.7 EUR
105+1.62 EUR
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Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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FQPF3N80C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQPF3N80C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FQPF3N80C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 12 Stücke:
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