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FQPF47P06

FQPF47P06 ON Semiconductor

fqpf47p06-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF47P06 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.

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FQPF47P06 FQPF47P06 Hersteller : ON Semiconductor fqpf47p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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FQPF47P06 FQPF47P06 Hersteller : onsemi / Fairchild E2E03AAC50CCA50B18EDB1EBF97C30E9C7C97CE0E33D46BC4D975C9C38C50A70.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
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FQPF47P06 Hersteller : ONSEMI fqpf47p06-d.pdf FQPF47P06 THT P channel transistors
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