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FQPF47P06

FQPF47P06 ON Semiconductor

fqpf47p06-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF47P06 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI FQPF47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 17 Stücke:
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17+5 EUR
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32+5.55 EUR
57+3.05 EUR
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500+2.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FQPF47P06 FQPF47P06 onsemi fqpf47p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
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FQPF47P06 FQPF47P06 onsemi fqpf47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 759 Stücke:
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3+8.57 EUR
50+4.43 EUR
100+4.03 EUR
500+3.32 EUR
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FQPF47P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 17 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FQPF47P06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1755 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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57+3.05 EUR
100+2.76 EUR
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FQPF47P06
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+3.02 EUR
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auf Bestellung 30 Stücke:
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Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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3+8.57 EUR
50+4.43 EUR
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