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FQPF4N90C (TO-220FP, ON)

FQPF4N90C (TO-220FP, ON)

fqp4n90c-datasheet.pdf
Produktcode: 86951
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/17
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
erwartet: 5 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF4N90C FQPF4N90C onsemi FQPF4N90C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FQPF4N90C FQPF4N90C onsemi FQPF4N90C-D.PDF MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+1.98 EUR
100+1.77 EUR
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FQPF4N90C FQPF4N90C-D.PDF
FQPF4N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
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FQPF4N90C
Hersteller: onsemi
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UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 250 kHz
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung: 75 St.
  • 75 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.77 EUR
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BZV55-C20
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BZV55-C20
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 20 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 15,6 mV/K
auf Bestellung: 1566 St.
  • 1566 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.043 EUR
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FQP4N90C
Produktcode: 60621
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fqp4n90c-datasheetd.pdf
FQP4N90C
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/15
Montage: THT
erwartet: 80 St.
  • 80 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.01 EUR
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Produktcode: 56902
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Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: Schaltcontroller 0.5mA im Strommodus, 500 kHz, 4.90 V…5.10 V
8542 39 90 00
auf Bestellung: 198 St.
  • 198 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
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10nF 4kV Z5V M(+/-20%) D<=13,5mm (KE3G103M-L016BD13.5-Hitano)
Produktcode: 23429
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10nF 4kV Z5V M(+/-20%) D<=13,5mm (KE3G103M-L016BD13.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 4 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=13,5 mm
Part Number: KE3G103M-L016BD13.5
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 13 St.
  • 13 St. - stock Köln
auf Bestellung: 17 St.
  • 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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