FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 320+ | 1.42 EUR |
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Technische Details FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FQPF5N50CYDTU nach Preis ab 1.08 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FQPF5N50CYDTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V N-Channel QFET |
auf Bestellung 3077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF5N50CYDTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 35036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF5N50CYDTU | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
auf Bestellung 33950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF5N50CYDTU | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5N50CYDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF5N50CYDTU | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF5N50CYDTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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