FQPF70N10 ON Semiconductor
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Technische Details FQPF70N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF70N10
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQPF70N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| FQPF70N10 | Hersteller : FSC |
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| FQPF70N10 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 62 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 62 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FQPF70N10 Produktcode: 168355 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQPF70N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF70N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24.7A; Idm: 140A; 62W; TO220FP On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 140A Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 24.7A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQPF70N10 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
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FQPF70N10 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel QFET |
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FQPF70N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24.7A; Idm: 140A; 62W; TO220FP On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 140A Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 24.7A |
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