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FQPF7P20

FQPF7P20 ON Semiconductor

fqpf7p20-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF7P20 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FQPF7P20 FQPF7P20 onsemi FQPF7P20-D.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
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FQPF7P20 ONSEMI 2907444.pdf Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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Drain-Source-Spannung Vds: 200
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
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