FQPF8N90C ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 1.98 EUR |
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Technische Details FQPF8N90C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FQPF8N90C nach Preis ab 1.80 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQPF8N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 8684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N90C | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF8N90C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V |
auf Bestellung 16054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF8N90C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF8N90C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 15174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF8N90C | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF8N90C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V |
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