FQPF9N25CT onsemi / Fairchild


FQPF9N25C_D-2313966.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/250V/9A/QFET
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Technische Details FQPF9N25CT onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 8.8, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF9N25CT FQPF9N25CT onsemi fqpf9n25c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQPF9N25CT FQPF9N25CT ONSEMI FQPF9N25C-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF9N25CT ON Semiconductor fqpf9n25c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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