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Technische Details FQS4901TF onsemi
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400, Dauer-Drainstrom Id: 450, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQS4901TF nach Preis ab 2.42 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FQS4901TF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 400V Dual N-Ch QFET |
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FQS4901TF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 450 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FQS4901TF | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 400V; 0.45A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.45A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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FQS4901TF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQS4901TF | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 400V; 0.45A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.45A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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