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FQT3P20TF

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Produktcode: 164122
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQT3P20TF FQT3P20TF onsemi fqt3p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FQT3P20TF FQT3P20TF onsemi / Fairchild FQT3P20_D-2314167.pdf MOSFETs -200V Single
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.43 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FQT3P20TF FQT3P20TF onsemi fqt3p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
auf Bestellung 16136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.48 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FQT3P20TF FQT3P20TF ONSEMI 2552633.pdf Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
126+1.84 EUR
164+1.31 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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FQT3P20TF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
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FQT3P20TF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -200V Single
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FQT3P20TF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
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AnzahlPrivatkunde
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15+1.48 EUR
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FQT3P20TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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