Produkte > ONSEMI > FQT7N10TF
FQT7N10TF

FQT7N10TF onsemi

fqt7n10-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.51 EUR
8000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 4000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQT7N10TF onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FQT7N10TF nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQT7N10TF FQT7N10TF onsemi fqt7n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
18+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TF FQT7N10TF ONSEMI FAIRS39197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
136+1.71 EUR
177+1.21 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TF FQT7N10TF onsemi / Fairchild FQT7N10_D-1809903.pdf MOSFET 100V Single
auf Bestellung 27261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TF fqt7n10-d.pdf
FQT7N10TF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.34 EUR
18+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TF FAIRS39197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQT7N10TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.09 EUR
136+1.71 EUR
177+1.21 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TF FQT7N10_D-1809903.pdf
FQT7N10TF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V Single
auf Bestellung 27261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH