FQU11P06TU ON-Semicoductor
Hersteller: ON-SemicoductorP-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
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Technische Details FQU11P06TU ON-Semicoductor
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.
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FQU11P06TU Produktcode: 38375
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FQU11P06TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQU11P06TU | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
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FQU11P06TU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
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