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FQU11P06TU

FQU11P06TU onsemi / Fairchild

FQU11P06_D-2314224.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V P-Channel QFET
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Technische Details FQU11P06TU onsemi / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

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FQU11P06TU Hersteller : ON-Semicoductor fqu11p06-d.pdf P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
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FQU11P06TU FQU11P06TU
Produktcode: 38375 		fqu11p06-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FQU11P06TU FQU11P06TU Hersteller : ON Semiconductor fqu11p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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FQU11P06TU FQU11P06TU Hersteller : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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