FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor
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Technische Details FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.5A, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 35W, Gate charge: 13nC, Pulsed drain current: 10A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQU3N50CTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQU3N50CTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series |
auf Bestellung 15110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQU3N50CTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 35W Gate charge: 13nC Pulsed drain current: 10A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQU3N50CTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 35W Gate charge: 13nC Pulsed drain current: 10A |
Produkt ist nicht verfügbar |