
FQU5N40TU Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
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Anzahl | Preis |
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535+ | 0.88 EUR |
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Technische Details FQU5N40TU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FQU5N40TU nach Preis ab 1.29 EUR bis 2.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FQU5N40TU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 4404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQU5N40TU | Hersteller : ONSEMI |
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FQU5N40TU |
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FQU5N40TU | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FQU5N40TU | Hersteller : ONSEMI |
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