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FR305G

FR305G Taiwan Semiconductor Corporation

FR301G SERIES_H2105.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FR305G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - FR305G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 250ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FR30xG Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FR305G FR305G Hersteller : Taiwan Semiconductor FR301G SERIES_H2105.pdf FR301G-FR307G%20N0449%20REV.A.pdf Rectifiers 250ns, 3A, 600V, Fast Recovery Rectifier
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4+0.76 EUR
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FR305G FR305G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation FR301G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 3620 Stücke:
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FR305G FR305G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443402-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - FR305G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FR30xG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2445 Stücke:
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FR305G FR305G Hersteller : EIC Semiconductor 542577903651956fr301_7g.pdf Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
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FR305G FR305G Hersteller : SMC Diode Solutions FR301G-FR307G%20N0449%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 420 V
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FR305G FR305G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B488DFDE2E356A16&compId=FR301G_SER.pdf?ci_sign=1a00366e776c00a726b4f0772a900a88d0021eee Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 250ns
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