FS02MR12A8MA2BBPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 390A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34500pF @ 750V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 390A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.19µC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 160mA
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 390A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34500pF @ 750V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 390A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.19µC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 160mA
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 2314.35 EUR |
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Technische Details FS02MR12A8MA2BBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS02MR12A8MA2BBPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.0019 ohm, 18 V, 4.55 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Produktpalette: HybridPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FS02MR12A8MA2BBPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS02MR12A8MA2BBPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.0019 ohm, 18 V, 4.55 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V euEccn: NLR Verlustleistung: - Produktpalette: HybridPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS02MR12A8MA2BBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS02MR12A8MA2BBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBTs HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
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