Technische Details FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: HybridPACK G2 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FS1000R08A7P3BHPSA1 nach Preis ab 524.2 EUR bis 729.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FS1000R08A7P3BHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 750V 600A 750W Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS1000R08A7P3BHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Modules HybridPACK Drive G2 module |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS1000R08A7P3BHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: HybridPACK G2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS1000R08A7P3BHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611 Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS1000R08A7P3BHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 600A 750W Tray |
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