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FS100R07N2E4BOSA1

FS100R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FS100R07N2E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f5008fe012f52f5fa2e396f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
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Technische Details FS100R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS100R07N2E4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55, Dauer-Kollektorstrom: 100, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55, Verlustleistung Pd: 335, Verlustleistung: 335, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Anzahl der Pins: 28, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FS100R07N2E4BOSA1 FS100R07N2E4BOSA1 INFINEON 2882449.pdf Description: INFINEON - FS100R07N2E4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: 335
Verlustleistung: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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FS100R07N2E4BOSA1 FS100R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies 3725ds_fs100r07n2e4_2_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e3.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 28-Pin ECONO2-6 Tray
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FS100R07N2E4BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R07N2E4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: 335
Verlustleistung: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 28-Pin ECONO2-6 Tray
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