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FS100R07N2E4BPSA1

FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies

Infineon-FS100R07N2E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f5008fe012f52f5fa2e396f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 100A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
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Technische Details FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 335W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 335W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FS100R07N2E4BPSA1 FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies infineonfs100r07n2e4b11datasheetv0110en.pdf Sixpack IGBT Module
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