Weitere Produktangebote FS100R12KT4GBOSA1 nach Preis ab 119.26 EUR bis 156.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MODPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MODPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS100R12KT4GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
Produkt ist nicht verfügbar |




