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FS100R12KT4GBOSA1

Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81
Produktcode: 211681
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies infineonfs100r12kt4gdatasheetv0020en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
auf Bestellung 2 Stücke:
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FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FS100R12KT4GBOSA1 FS100R12KT4GBOSA1 INFINEON INFNS28511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
Verlustleistung: 515W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 22 Stücke:
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FS100R12KT4GBOSA1 infineonfs100r12kt4gdatasheetv0020en.pdf
FS100R12KT4GBOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
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FS100R12KT4GBOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray
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FS100R12KT4GBOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
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FS100R12KT4GBOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
Verlustleistung: 515W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 6006 St.
  • 65 St. - stock Köln
  • 5941 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 250 St.
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    10+0.049 EUR
    100+0.044 EUR
    1000+0.042 EUR
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    HCPL316J-500E (SOIC16)
    Produktcode: 37771
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    		hcpl316j.pdf
    HCPL316J-500E (SOIC16)
    Hersteller: Avago
    IC > Optokoppler (Optrone)
    Gehäuse: SO-16
    Typ: Gate drive
    U-isol, kV: 3.7
    I-ein/ I-ausg, mA: /2500
    Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
    Роб.темп.,°С: -40…+100°C
    auf Bestellung 31 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPreis
    1+3.52 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HER608
    Produktcode: 112398
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		her601-355474.pdf
    Hersteller: MIC
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
    Gehäuse: D6
    Vrr, V: 1000 V
    Iav, A: 6 A
    Trr, ns: 75 ns
    auf Bestellung 620 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BTS711L1
    Produktcode: 148689
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    		description
    IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SI8441BB-D-IS
    Produktcode: 165598
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    		Si844x.pdf
    IC > IC Interface
    Produkt ist nicht verfügbar
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