FS100R12PT4BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS100R12PT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS100R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 500 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 500W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 4, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FS100R12PT4BOSA1 nach Preis ab 99.09 EUR bis 297.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS100R12PT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
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FS100R12PT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 135A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 135 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
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FS100R12PT4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 500 W, 150 °C, Module tariffCode: 85413000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 500W euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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FS100R12PT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray |
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FS100R12PT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |