Technische Details FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FS100R12W2T7B11BOMA1 nach Preis ab 101.37 EUR bis 101.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 20W 33-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 20W 33-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 20W 33-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon |
Код виробника: FS100R12W2T7_B11 IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS100R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.50V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA |
Produkt ist nicht verfügbar |