Technische Details FS13MR12W2M1HC55BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HC55BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS13MR12W2M1HC55BPSA1 nach Preis ab 287.53 EUR bis 423.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FS13MR12W2M1HC55BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 62.5A 38-Pin Tray |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS13MR12W2M1HC55BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS13MR12W2M1HC55BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HC55BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS13MR12W2M1HC55BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FS13MR12W2M1HC55BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 62.5A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 62.5A 38-Pin Tray
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 287.53 EUR |
| FS13MR12W2M1HC55BPSA1 |
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auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 356.46 EUR |
| FS13MR12W2M1HC55BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HC55BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HC55BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 423.21 EUR |
| 5+ | 390.26 EUR |
| FS13MR12W2M1HC55BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 333.2 EUR |
| 10+ | 295.08 EUR |