FS150R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 105.34 EUR |
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Technische Details FS150R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS150R12KT4BOSA1 nach Preis ab 172.25 EUR bis 311.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 150A 750WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
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FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 175W euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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| FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 750W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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| FS150R12KT4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 750W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A |
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