Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > FS150R12KT4BOSA1
FS150R12KT4BOSA1

FS150R12KT4BOSA1 Infineon Technologies


9496ds_fs150r12kt4_2_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray
auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+161.40 EUR
2+107.79 EUR
5+103.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FS150R12KT4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS150R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote FS150R12KT4BOSA1 nach Preis ab 172.25 EUR bis 318.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FS150R12KT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301160ff991d11b45 Description: IGBT MOD 1200V 150A 750W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+200.18 EUR
10+172.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 9496ds_fs150r12kt4_2_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+318.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS150R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 309ds_fs150r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 9496ds_fs150r12kt4_2_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C87F547E493D7&compId=FS150R12KT4.pdf?ci_sign=b9e2fda300a75c51352ce08e24e35235e6476809 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: AG-ECONO3-4
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FS150R12KT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301160ff991d11b45 IGBT Modules LOW POWER ECONO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C87F547E493D7&compId=FS150R12KT4.pdf?ci_sign=b9e2fda300a75c51352ce08e24e35235e6476809 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: AG-ECONO3-4
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH