FS200R07N3E4RBOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 650V 200A 600W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 154.33 EUR |
| 10+ | 128.41 EUR |
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Technische Details FS200R07N3E4RBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS200R07N3E4RBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 200A, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FS200R07N3E4RBOSA1 nach Preis ab 259.84 EUR bis 259.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FS200R07N3E4RBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS200R07N3E4RBOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS200R07N3E4RBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS200R07N3E4RBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS200R07N3E4RBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS200R07N3E4RBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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